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SK 120 GB 12F4 T

更新时间： 2024-11-19 14:55:59
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 635K
描述
IGBT Modules SEMITOP 3 (55x31x12)

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SK 120 GB 12F4 T 数据手册

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SK 120 GB 12F4 T  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Inverter - IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1200  
174  
143  
120  
240  
V
A
A
A
A
V
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
-20 ... 20  
SEMITOP® 3  
IGBT module  
SK 120 GB 12F4 T  
Features*  
VCC = 800 V  
V
V
GE ≤ 15 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
CES ≤ 1200 V  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse - Diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
1200  
29  
24  
30  
65  
V
A
A
A
A
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
Tj = 175 °C  
IFRM  
IFSM  
Tj  
10 ms, sin 180°, Tj = 150 °C  
• Compact design  
-40 ... 175  
°C  
• One screw mounting module  
• Optimum heat transfer and isolation  
through AlN direct copper bonding  
(DBC)  
• Trench4 Fast IGBT technology  
• CAL4F diode technology  
• Integrated NTC temperature sensor  
• UL recognized, file no. E 63 532  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
∆Tterminal at PCB joint = 30 K, per pin  
module without TIM  
AC, sinusoidal, t = 1 min  
60  
-40 ... 125  
2500  
A
°C  
V
Visol  
Characteristics  
Symbol Conditions  
Inverter - IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Typical Applications  
• Switching (not for linear use)  
• Inverter  
IC = 120 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
2.05  
2.59  
2.40  
2.85  
V
V
• Switched mode power supplies  
• UPS  
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.80  
0.70  
10  
16  
5.8  
0.90  
0.80  
13  
17  
6.4  
1.6  
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
chiplevel  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE(th)  
ICES  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
Eon  
td(off)  
tf  
Eoff  
Rth(j-s)  
VGE = VCE, IC = 4.5 mA  
VGE = 0 V, VCE = 1200 V, Tj = 25 °C  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
VGE = - 15 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
5.2  
6.90  
0.56  
0.41  
412  
2.7  
156  
51  
8.8  
346  
42  
7.47  
0.22  
VCE = 25 V  
V
GE = 0 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
VCC = 600 V  
I
C = 120 A  
R
R
G on = 2.2 Ω  
G off = 2.2 Ω  
di/dton = 2354 A/µs  
di/dtoff = 2264 A/µs  
V
GE = +15/-15 V  
mJ  
K/W  
per IGBT, λpaste=0.8 W/(mK)  
GB-T  
© by SEMIKRON  
Rev. 2.0 – 02.09.2021  
1
123456

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