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SJVP1220N2

更新时间: 2024-01-28 07:30:58
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 输入元件开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39

SJVP1220N2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:HIGH INPUT IMPEDANCE, HIGH RELIABILITY配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:2.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):30 pFJEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SJVP1220N2 数据手册

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