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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 雪崩能效等级（Eas）： | 45 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 19.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0064 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-XDSO-C5 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 39 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIS426DN | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SIS426DN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SIS427EDN | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SiS429DNT | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SIS43 | ETC |
获取价格 |
Small Size, Low Profile SMD type |
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| SIS430DN | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
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| SIS43-100 | ETC |
获取价格 |
Small Size, Low Profile SMD type |
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| SIS43-101 | ETC |
获取价格 |
Small Size, Low Profile SMD type |
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| SIS43-102 | ETC |
获取价格 |
Small Size, Low Profile SMD type |
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| SIS43-150 | ETC |
获取价格 |
Small Size, Low Profile SMD type |
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