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SII100N06

更新时间： 2024-09-23 00:02:03

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SIRECTIFIER		晶体双极型晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
4页	1114K
描述
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs),NPT技术的IGBT模块NPT IGBT Modules (None Punch Through Technology).

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SII100N06 数据手册

SII100N06

NPT IGBT Modules

Dimensions in mm (1mm = 0.0394")

T C, unless otherwise specified

= 25^o

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Conditions

Units

Values

IGBT Wechselrichter/ IGBT Inverter

600

130(100)

200

CES

= 25(70)^o

= 70^oC, tP =1ms

= 25^oC, Tvj= 150^oC

ICRM

tot

445

+20

GES

Diode Wechselrichter/ Diode Inverter

IFRM

100

200

A²s

tP =1ms

tP =10ms; TVj=125^oC

I²

1.25

VR=0V,

Module Isolation/ Module Isolation

VISOL

RMS, f=50Hz, t=1min, NTC connect to Baseplate

2500

Sirectifier

12 3 4

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