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SIHL520S

更新时间： 2024-09-25 01:26:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网开关脉冲晶体管
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8页 924K
描述
Power MOSFET

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SIHL520S 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.32其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：170 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.2 A
最大漏极电流 (ID)：9.2 A最大漏源导通电阻：0.27 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

SIHL520S 数据手册

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IRL520S, SiHL520S  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Surface Mount  
100  
• Available in Tape and Reel  
• Dynamic dV/dt Rating  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Logic-Level Gate Drive  
• RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V  
• 175°C Operating Temperature  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 5 V  
0.27  
Qg (Max.) (nC)  
12  
3.0  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
7.1  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
D2PAK (TO-263)  
The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package  
capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides  
the highest power capability and the lowest possible  
on-resistance in any existing surface mount package. The  
D2PAK (TO-263) is suitable for high current applications  
because of its low internal connection resistance and can  
dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.  
G
D
G
S
N-Channel MOSFET  
S
ORDERING INFORMATION  
Package  
D2PAK (TO-263)  
IRL520S  
SiHL520S  
SnPb  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
100  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
10  
T
C = 25 °C  
9.2  
Continuous Drain Current  
VGS at 5 V  
ID  
TC =100°C  
6.5  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
36  
Linear Derating Factor  
0.40  
0.025  
170  
W/°C  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Avalanche Currenta  
EAS  
IAR  
mJ  
A
9.2  
Repetiitive Avalanche Energya  
EAR  
6.0  
mJ  
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
60  
PD  
W
V/ns  
°C  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
TA = 25 °C  
3.7  
dV/dt  
5.5  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TJ, Tstg  
- 55 to + 175  
300d  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 3.0 mH, RG = 25 Ω, IAS = 9.2 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 9.2 A, dI/dt ≤ 110 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).  
Document Number: 90382  
S-Pending-Rev. A, 14-Jan-09  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Power MOSFET
SIHL530S-E3 VISHAY

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