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SIHG47N60E-E3

更新时间： 2024-11-25 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	196K
描述
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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SIHG47N60E-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.43	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	1800 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	47 A	最大漏极电流 (ID)：	47 A
最大漏源导通电阻：	0.064 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	357 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	145 A	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHG47N60E-E3 数据手册

SiHG47N60E

Vishay Siliconix

www.vishay.com

E Series Power MOSFET

FEATURES

TO-247AC

• Low figure-of-merit (FOM) R_onx Q_g

• Low input capacitance (C_iss

)

• Reduced switching and conduction losses

• Ultra low gate charge (Q_g)

Available

• Avalanche energy rated (UIS)

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

N-Channel MOSFET

APPLICATIONS

• Switch mode power supplies (SMPS)

• Power factor correction power supplies (PFC)

• Lighting

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V) at T_Jmax.

650

R_DS(on)max. (Ω) at 25 °C

V_GS= 10 V

0.064

- High-intensity discharge (HID)

- Fluorescent ballast lighting

• Industrial

Q_gmax. (nC)

220

_gs(nC)

_gd(nC)

- Welding

Configuration

Single

- Induction heating

- Motor drives

- Battery chargers

- Renewable energy

- Solar (PV inverters)

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247AC

Lead (Pb)-free

SiHG47N60E-E3

SiHG47N60E-GE3

Lead (Pb)-free and halogen-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-source voltage

Gate-source voltage

V_DS

600

V_GS

_C= 25 °C

Continuous drain current (T_J= 150 °C)

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

145

Pulsed drain current ^a

I_DM

Linear derating factor

Single pulse avalanche energy ^b

W/°C

E_AS

P_D

1800

357

Maximum power dissipation

Operating junction and storage temperature range

Drain-source voltage slope

Reverse diode dV/dt ^d

T_J, T_stg

-55 to +150

°C

_DS= 0 V to 80 % V_DS

for 10 s

dV/dt

V/ns

°C

Soldering recommendations (peak temperature) ^c

300

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 73.5 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 7 A

c. 1.6 mm from case

d. I_SD≤ I_D, dI/dt = 100 A/μs, starting T_J= 25 °C

S17-1097-Rev. N, 24-Jul-17

Document Number: 91474

For technical questions, contact: hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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