5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHG20N50C-E3
SIHG20N50C-E3 PDF预览

SIHG20N50C-E3

更新时间： 2024-11-05 12:01:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
8页 187K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SIHG20N50C-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-247AC包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：1.54Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：2381692
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：TO247AC
Samacsys Released Date：2019-12-12 09:24:40Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：361 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.27 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：292 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIHG20N50C-E3 数据手册

 浏览型号SIHG20N50C-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SIHG20N50C-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SIHG20N50C-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SIHG20N50C-E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SIHG20N50C-E3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SIHG20N50C-E3的Datasheet PDF文件第7页 
SiHG20N50C  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V) at TJ max.  
560  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.270  
• Low Figure-of-Merit Ron x Qg  
• 100 % Avalanche Tested  
• High Peak Current Capability  
• dV/dt Ruggedness  
Qg (Max.) (nC)  
76  
21  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
34  
Configuration  
Single  
• Improved Trr/Qrr  
• Improved Gate Charge  
D
• High Power Dissipations Capability  
TO-247AC  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
G
S
S
N-Channel MOSFET  
D
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247AC  
Lead (Pb)-free  
SiHG20N50C-E3  
SiHG20N50C-GE3  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
500  
V
VGS  
30  
T
C = 25 °C  
20  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)e  
VGS at 10 V  
ID  
T
C = 100 °C  
11  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
80  
Linear Derating Factor  
Single Pulse Avalanche Energyb  
1.8  
W/°C  
mJ  
EAS  
PD  
361  
Maximum Power Dissipation  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
250  
5
W
dV/dt  
TJ, Tstg  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 2.5 mH, Rg = 25 Ω, IAS = 17 A.  
c. ISD ≤ 18 A, dI/dt ≤ 380 A/μs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. Limited by maximum junction temperature.  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TYP.  
MAX.  
40  
UNIT  
Maximum Junction-to-Ambient  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJA  
-
-
°C/W  
0.5  
RthJC  
Document Number: 91382  
S11-0440-Rev. C, 14-Mar-11  
www.vishay.com  
1
This datasheet is subject to change without notice.  
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

中文翻译

下载PDF

SIHG20N50C-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFP460PBF VISHAY

功能相似

 Power MOSFET

与SIHG20N50C-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SIHG20N50C-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC, HALOGEN FREE AND
SiHG20N50E VISHAY

获取价格

 		E Series Power MOSFET
SIHG20N50E-GE3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 500V, 0.184ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SiHG21N60EF VISHAY

获取价格

 		EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode
SiHG21N65EF VISHAY

获取价格

 		E Series Power MOSFET with Fast Body Diode
SiHG21N80AE VISHAY

获取价格

 		E Series Power MOSFET
SiHG21N80AEF VISHAY

获取价格

 		E Series Power MOSFET
SIHG21N80AE-GE3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
SiHG22N50D VISHAY

获取价格

 		D Series Power MOSFET
SiHG22N60AE VISHAY

获取价格

 		E Series Power MOSFET

与SIHG20N50C-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证