Datasheet > SIHFU430A-GE3

SIHFU430A-GE3

更新时间： 2024-10-19 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	267K
描述
TRANSISTOR 5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, IPAK-3, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHFU430A-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.15
雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	1.7 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	110 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFU430A-GE3 数据手册

IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.7

Q_g(Max.) (nC)

6.5

_gs(nC)

_gd(nC)

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dV/dt Ruggedness

Configuration

Single

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Effective C_ossSpecified

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

Lead (Pb)-free and

Halogen-free

SiHFR430A-GE3

SiHFR430ATR-GE3^aSiHFR430ATRL-GE3^aSiHFR430ATRR-GE3^aSiHFU430A-GE3

IRFR430APbF

SiHFR430A-E3

IRFR430A

IRFR430ATRPbF^a

SiHFR430AT-E3^a

IRFR430ATR^a

IRFR430ATRLPbF^a

SiHFR430ATL-E3^a

IRFR430ATRL^a

IRFR430ATRRPbF^a

SiHFR430ATR-E3^a

IRFR430ATRR^a

IRFU430APbF

SiHFU430A-E3

IRFU430A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR430A

SiHFR430AT^a

SiHFR430ATL^a

SiHFR430ATR^a

SiHFU430A

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

5.0

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

3.2

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.91

130

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

5.0

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

110

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 11 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 5.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.0 A, dI/dt ≤ 320 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91276

S10-1135-Rev. C, 10-May-10

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与SIHFU430A-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFU9010	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3, FET General
SIHFU9010-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT, IPA
SIHFU9010-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND RO
SIHFU9012	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4.5 A, 50 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3, FET General
SIHFU9012-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4.5 A, 50 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT, IPA
SIHFU9014	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFU9014	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFU9014-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFU9014-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFU9014-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.1 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND RO

与SIHFU430A-GE3相关文章

纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

17
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

21
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
2024-10-15

30
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
2024-10-15

26

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFU430A-GE3

SIHFU430A-GE3 技术参数

SIHFU430A-GE3 数据手册

与SIHFU430A-GE3相关器件

与SIHFU430A-GE3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFU430A-GE3

SIHFU430A-GE3 技术参数

SIHFU430A-GE3 数据手册

与SIHFU430A-GE3相关器件

与SIHFU430A-GE3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？