5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-XUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-XUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 3000 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最大输出电流： | 150 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIH31-12 | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), Silicon, |
|
| SIH31-12R | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), Silicon, |
|
| SIH530S-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, ROHS COMPLIANT, SMD-220, 3 PIN, FET General Purpose Power |
|
| SIH530STR | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, SMD-220, 3 PIN, FET General Purpose Power |
|
| SiHA100N60E | VISHAY |
获取价格 |
E Series Power MOSFET |
|
| SiHA105N60EF | VISHAY |
获取价格 |
EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode |
|
| SIHA105N60EF-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| SiHA11N80AE | VISHAY |
获取价格 |
E Series Power MOSFET |
|
| SIHA11N80AE-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| SiHA11N80E | VISHAY |
获取价格 |
E Series Power MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
