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SIGC42T120CX1SA5

更新时间： 2024-11-18 20:04:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	62K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 6.59 X 6.49 MM, DIE-3

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SIGC42T120CX1SA5 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.58
最大集电极电流 (IC)：	52 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-XUUC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	465 ns
标称接通时间 (ton)：	140 ns	Base Number Matches：	1

SIGC42T120CX1SA5 数据手册

SIGC42T120C

IGBT Chip in NPT-technology

Features:

This chip is used for:



1200V NPT technology

low turn-off losses

positive temperature coefficient

easy paralleling



power module

BUP 314

Applications:



drives

Chip Type

V_CE

I_C

Die Size

Package

SIGC42T120C

1200V 25A

6.59 x 6.49 mm²

sawn on foil

Mechanical Parameter

Raster size

6.59 x 6.49

Emitter pad size

Gate pad size

Area total

2 x ( 1.58 x 2.18 )

1.06 x 0.65

42.8

mm²

Thickness

200

µm

Wafer size

150

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

334

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Backside metal

Die bond

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

 0.65mm ; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen, in dark

environment, < 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended storage environment

Edited by INFINEON Technologies, AIM PMD D CID CLS, L7151MM, Edition 2.1, 14.10.2008

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