5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.58 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 25 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC42T120CS2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC42T120CX1SA5 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 6.59 X 6.49 MM, DI |
|
| SIGC42T170R2C | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC42T170R3 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT3 Chip |
|
| SIGC42T170R3G | INFINEON |
获取价格 |
IGBT3 Chip |
|
| SIGC42T170R3G_08 | INFINEON |
获取价格 |
1700V Trench Field Stop technology low turn-off losses short tail current |
|
| SIGC42T170R3GE | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
|
| SIGC42T170R3GG | INFINEON |
获取价格 |
IGBT3 Chip |
|
| SIGC42T60NC | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC42T60SNC | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
