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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | 11.98 X 11.98 MM, DIE-10 | 针数： | 10 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1700 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | S-XUUC-N10 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 10 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC144T170R2C_09 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology 1700V NPT technol |
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| SIGC14T60N | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
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| SIGC14T60NC | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC14T60SN | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
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| SIGC14T60SNC | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technolo |
|
| SIGC14T60SNCX1SA4 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.80 X 3.80 MM, DIE |
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| SIGC156T120R2C | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC156T120R2CL | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC156T120R2CQ | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in Fieldstop-technology |
|
| SIGC156T120R2CS | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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