Datasheet > SIGC06T60GSX1SA2

SIGC06T60GSX1SA2

更新时间： 2024-11-21 20:10:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	72K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.44 X 2.42 MM, DIE-2

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIGC06T60GSX1SA2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-XUUC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	296 ns
标称接通时间 (ton)：	22 ns	Base Number Matches：	1

SIGC06T60GSX1SA2 数据手册

SIGC06T60GS

IGBT³Chip

FEATURES:

This chip is used for:

600V Trench & Field Stop technology

low V_CE(sat)

low turn-off losses

short tail current

positive temperature coefficient

easy paralleling

power module

discrete components

Applications:

drives

white goods

resonant applications

Chip Type

SIGC06T60GS

V_CE

I_Cn

10A

Die Size

Package

Ordering Code

Q67050-

A4333-A101

600V

2.44 x 2.42 mm²

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

2.44 x 2.42

Emitter pad size

Gate pad size

1.558 x 1.577

0.361 x 0.513

5.9 / 3.6

mm²

Area total / active

Thickness

mm²

µm

Wafer size

150

deg

Flat position

270

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

2485 pcs

Photoimide

3200 nm AlSiCu

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended storage environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD CLS, L7521D, Edition 1, 09.06.2004

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与SIGC06T60GSX1SA2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIGC06T65E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
SIGC06T65GE	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
SIGC07T60NC	INFINEON	获取价格	IGBT Chip in NPT-technology
SIGC07T60SN	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
SIGC07T60SNC	INFINEON	获取价格	IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technology positive temperature coefficient
SIGC07T60UN	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT Chip in NPT-technology positive temperature coefficient
SIGC08T60	INFINEON	获取价格	IGBT3 Chip
SIGC08T60E	INFINEON	获取价格	暂无描述
SIGC08T60S	INFINEON	获取价格	IGBT3 Chip 600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient
SIGC08T60SE	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,