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SIGC05T60SNC

更新时间： 2024-02-08 16:55:21

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	79K
描述
IGBT Chip in NPT-technology

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SIGC05T60SNC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	2.29 X 2.29 MM, DIE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	9.4 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	125 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	S-XUUC-N2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	19 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	368 ns
标称接通时间 (ton)：	38 ns

SIGC05T60SNC 数据手册

SIGC05T60SNC

IGBT Chip in NPT-technology

FEATURES:

This chip is used for:

600V NPT technology

100µm chip

short circuit prove

positive temperature coefficient

easy paralleling

DuoPack SGP04N60

Applications:

drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

Ordering Code

Q67050-A4149-

A101

SIGC05T60SNC

600V

2.29 x 2.29 mm²

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

mm²

Raster size

2.29 x 2.29

5.2 / 3.2

1.38 x 0.93

0.7 x 0.5

100

Area total / active

Emitter pad size

Gate pad size

Thickness

µm

deg

Wafer size

150

Flat position

180

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

2990

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al,£500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L7202-S, Edition 2, 28.11.2003

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