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SIDC23D120H8

更新时间： 2024-09-16 14:56:11

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英飞凌 - INFINEON		快速恢复二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	116K
描述
发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 IGBT 的通电损耗，使发射极控制二极管非常适用于消费者和工业应用。发射极控制二极管针对英飞凌 IGBT 技术进行了优化。

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SIDC23D120H8 技术参数

SIDC23D120H8

Fast switching emitter controlled 3 diode chip

Features

• V_RRM= 1200 V

• I_Fn= 35 A

• 1200 V emitter controlled technology

• Soft fast switching

• Low reverse recovery charge

• Small temperature coeﬀicienꢀ

Potential applications

• SMPS

• Resonant applications

• Drives

Description

Recommended for:

• Power modules

• Discrete devices

Type

Die size

Delivery form

SIDC23D120H8

6.5 mm x 3.5 mm

Sawn on foil

Datasheet

www.infineon.com

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Revision 1.10

2022-04-08

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIDC23D60E	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 600V V(RRM), Silicon, DIE
SIDC23D60E6	INFINEON	获取价格	Fast switching diode chip in EMCON-Technology
SIDC24D30SIC3	INFINEON	获取价格	Silicon Carbide Schottky Diode
SIDC24D60SIC3	INFINEON	获取价格	Silicon Carbide Schottky Diode
SIDC26D60C6	INFINEON	获取价格	Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology
SIDC26D60C8	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 600V V(RRM), Silicon, DIE-1
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SIDC26D65C8X1SA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 650V V(RRM), Silicon, DIE-1
SIDC30D120E	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 1200V V(RRM), Silicon, DIE