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SI8445DB-T2-E1

更新时间： 2024-09-17 19:28:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 112K
描述
Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A 4-Pin Micro Foot T/R

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SI8445DB-T2-E1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：GRID ARRAY, R-XBGA-B4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.8 A
最大漏极电流 (ID)：3.9 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBGA-B4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：11.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：BALL
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI8445DB-T2-E1 数据手册

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Si8445DB  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)e  
Ultra Small 1.2 mm Length x 1 mm Width  
Ultra Thin 0.59 mm Height  
0.084 at VGS = - 4.5 V  
0.100 at VGS = - 2.5 V  
0.120 at VGS = - 1.8 V  
0.155 at VGS = - 1.5 V  
0.495 at VGS = - 1.2 V  
- 9.8  
- 9.0  
- 5.0  
- 2.0  
- 0.5  
RoHS  
COMPLIANT  
- 20  
9.5 nC  
APPLICATIONS  
•
Portable Devices  
- Battery Management  
- Low Threshold Load Switch  
- Battery Protection  
MICRO FOOT  
Bump Side View  
Backside View  
S
S
S
G
D
2
3
1
4
G
Device Marking: 8445  
xxx = Date/Lot Traceability Code  
D
Ordering Information: Si8445DB-T2-E1 (Lead (Pb)-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 20  
5
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TC = 25 °C  
- 9.8  
- 7.9  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 3.9a, b  
T
- 3.1a, b  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 10  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
- 9.5  
Continuous Source-Drain Diode Current  
- 1.5a, b  
11.4  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
7.3  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
1.8a, b  
1.1a, b  
- 55 to 150  
260  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Package Reflow Conditionsc  
°C  
IR/Convection  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 5 s.  
c. Refer to IPC/JEDEC (J-STD-020C), no manual or hand soldering.  
d. In this document, any reference to case represents the body of the MICRO FOOT device and foot is the bump.  
e. Based on TC = 25 °C.  
Document Number: 69984  
S-82768-Rev. C, 17-Nov-08  
www.vishay.com  
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