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SI7888DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-28 21:03:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 140K
描述
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SI7888DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.4 A最大漏极电流 (ID)：9.4 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7888DP-T1-GE3 数据手册

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Si7888DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
15.7  
12.1  
TrenchFET® Power MOSFET  
RoHS  
0.012 at VGS = 10 V  
0.020 at VGS = 4.5 V  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07 mm Profile  
COMPLIANT  
30  
•
•
Optimized for “High-Side” Synchronous Rectifier  
Operation  
100 % Rg Tested  
PowerPAK SO-8  
APPLICATIONS  
•
DC/DC Converters  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
D
G
4
D
8
D
7
D
G
6
D
5
Bottom View  
S
Ordering Information: Si7888DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7888DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
15.7  
12.5  
9.4  
7.5  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
IDM  
IS  
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Avalanche Current  
50  
4.1  
1.5  
IAS  
EAS  
20  
20  
L = 0.1 mH  
TA = 25 °C  
mJ  
W
Single Pulse Avalanche Energy  
5.0  
3.2  
1.8  
1.1  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b, c  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
21  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
25  
70  
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)a  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJA  
°C/W  
55  
RthJC  
2.4  
3.0  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 71876  
S-80440-Rev. D, 03-Mar-08  
www.vishay.com  
1
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与SI7888DP-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7892ADP-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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 		N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
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