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SI7888DP-E3

更新时间： 2024-11-28 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 46K
描述
TRANSISTOR 9.4 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET General Purpose Power

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SI7888DP-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.32雪崩能效等级（Eas）：20 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.4 A
最大漏极电流 (ID)：9.4 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7888DP-E3 数据手册

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Si7888DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKt  
Package with Low 1.07-mm Profile  
D Optimized for “High-Side” Synchronous  
Rectifier Operation  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.012 @ V = 10 V  
15.7  
12.1  
GS  
30  
0.020 @ V = 4.5 V  
GS  
APPLICATIONS  
D DC/DC Converters  
PowerPAKt SO-8  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
G
D
8
D
7
D
6
D
S
5
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
15.7  
12.5  
9.4  
7.5  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
"50  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
4.1  
5.0  
3.2  
1.5  
1.8  
1.1  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
21  
55  
25  
70  
a
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
2.4  
3.0  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71876  
S-20917—Rev. A, 01-Jul-02  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7888DP-T1 VISHAY

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