Datasheet > SI7884DP-T1-E3

SI7884DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-28 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	77K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI7884DP-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5.2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI7884DP-T1-E3 数据手册

Si7884DP

Vishay Siliconix

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free available

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

TrenchFET^®Power MOSFETS

RoHS

0.007 at V_GS= 10 V

0.0095 at V_GS= 4.5 V

New Low Thermal Resistance PowerPAK^®

Package with Low 1.07 mm Profile

COMPLIANT

•

PWM Optimized for Fast Switching

100 % R_gTested

PowerPAK SO-8

APPLICATIONS

•

Synchronous Rectifier

6.15 mm

5.15 mm

Bottom View

N-Channel MOSFET

Ordering Information: Si7884DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7884DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

_A= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_AS

I_S

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

L = 0.1 mH

4.7

5.2

3.3

1.7

1.9

1.2

T_A= 25 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

°C/W

R_thJC

Maximum Junction-to-Case (Drain)

1.2

1.8

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 71855

S-80440-Rev. G, 03-Mar-08

www.vishay.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SI7884DP-T1-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7884DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7886ADP	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V D-S MOSFET
SI7886ADP-T1	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V D-S MOSFET
SI7886ADP-T1-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V D-S MOSFET
SI7886DP	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7886DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 15 A, 30 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7888DP	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7888DP-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 9.4 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7888DP-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7888DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

与SI7884DP-T1-E3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

47
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

37
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

65
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI7884DP-T1-E3

SI7884DP-T1-E3 技术参数

SI7884DP-T1-E3 数据手册

与SI7884DP-T1-E3相关器件

与SI7884DP-T1-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI7884DP-T1-E3

SI7884DP-T1-E3 技术参数

SI7884DP-T1-E3 数据手册

与SI7884DP-T1-E3相关器件

与SI7884DP-T1-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？