SI7884DP

更新时间： 2024-11-27 22:43:15

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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4页	63K
描述
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

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SI7884DP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.87
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	5.2 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI7884DP 数据手册

Si7884DP

Vishay Siliconix

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D New Low Thermal Resistance PowerPAKr

Package with Low 1.07-mm Profile

D PWM Optimized for Fast Switching

D 100% R_gTested

0.007 @ V = 10 V

0.0095 @ V = 4.5 V

APPLICATIONS

D Sychronous Rectifier

PowerPAK SO-8

6.15 mm

5.15 mm

N-Channel MOSFET

Bottom View

Ordering Information: Si7884DP-T1

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150__C)

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

L = 0.1 mH

Continuous Source Current (Diode Conduction)

4.7

5.2

3.3

1.7

1.9

1.2

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

_C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

1.2

1.8

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71855

S-32077—Rev. D, 13-Oct-03

www.vishay.com

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