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SI7884BDP-T1-E3

更新时间： 2024-11-28 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY PC开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 317K
描述
TRANSISTOR 18.5 A, 40 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power

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SI7884BDP-T1-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.11Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：1581455
Samacsys Pin Count：9Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：PowerPAK? SO-8 Single_1
Samacsys Released Date：2019-01-15 18:19:29Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：54 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：58 A最大漏极电流 (ID)：18.5 A
最大漏源导通电阻：0.0075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：46 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7884BDP-T1-E3 数据手册

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New Product  
Si7884BDP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free Option Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)f  
58  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
0.0075 at VGS = 10 V  
0.009 at VGS = 4.5 V  
RoHS  
40  
21 nC  
COMPLIANT  
53  
APPLICATIONS  
PowerPAK SO-8  
•
Synchronous Rectifier  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
D
2
S
3
G
4
D
8
D
7
D
G
6
D
5
Bottom View  
S
Ordering Information:  
Si7884BDP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7884BDP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
40  
Unit  
V
20  
58f  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
46f  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
18.5a, b  
14.8a, b  
50  
A
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
Avalanche Energy  
IDM  
IAS  
EAS  
33  
54  
38f  
3.8a, b  
46  
L = 0.1 mH  
mJ  
A
T
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IS  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
T
29  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
4.6a, b  
3.0a, b  
- 55 to 150  
260  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c, d  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambienta, e  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
22  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
27  
°C/W  
2.2  
2.7  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed  
and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
d. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
e. Maximum under Steady State conditions is 70 °C/W.  
f. Calculation based on maximum allowable junction temperature. Package limitation current is 32 A.  
Document Number: 68395  
S-82113-Rev. B, 08-Sep-08  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7884DP VISHAY

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