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SI7882DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-28 20:47:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	135K
描述
Trans MOSFET N-CH 12V 13A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SI7882DP-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.43
其他特性：	FAST SWITCHING	雪崩能效等级（Eas）：	7.2 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.0055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-C5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI7882DP-T1-E3 数据手册

Si7882DP

Vishay Siliconix

N-Channel Reduced Q , Fast Switching MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free available

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

TrenchFET^®Power MOSFET

Available

0.0055 at V_GS= 4.5 V

0.008 at V_GS= 2.5 V

New Low Thermal Resistance PowerPAK^®

Package with Low 1.07 mm Profile

RoHS*

COMPLIANT

•

PWM Optimized for High Efficiency

100 % R_gTested

PowerPAK SO-8

APPLICATIONS

•

Point-of-Load Synchronous Rectifier

- 5 V or 3.3 V BUS Step Down

6.15 mm

5.15 mm

- Q_gOptimized for 500 kHz Operation

•

Synchronous Buck, Shoot-Thru Resistant

Bottom View

Ordering Information: Si7882DP-T1

Si7882DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

N-Channel MOSFET

Si7882DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Energy

4.1

1.6

I_AS

L = 0.1 mH

E_AS

7.2

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

1.9

1.2

Maximum Power Dissipation^a

P_D

3.2

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)^a

Maximum Junction-to-Case (Drain)

R_thJA

°C/W

R_thJC

2.0

2.6

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.

Document Number: 71858

S-80439-Rev. G, 03-Mar-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
Si7884BDP	VISHAY	获取价格	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7884BDP-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18.5 A, 40 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPA
SI7884DP	VISHAY	获取价格	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7884DP-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7884DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7884DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7886ADP	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V D-S MOSFET
SI7886ADP-T1	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V D-S MOSFET
SI7886ADP-T1-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V D-S MOSFET
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