5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7882DP
SI7882DP PDF预览

SI7882DP

更新时间： 2024-11-27 22:43:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体开关晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI7882DP 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT
包装说明：,针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.36
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SI7882DP 数据手册

 浏览型号SI7882DP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI7882DP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI7882DP的Datasheet PDF文件第4页 
Si7882DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKt  
Package with Low 1.07-mm Profile  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D PWM Optimized for High Efficiency  
APPLICATIONS  
0.0055 @ V = 4.5 V  
22  
18  
GS  
12  
0.008 @ V = 2.5 V  
GS  
D Point-of-Load Synchronous Rectifier  
- 5-V or 3.3-V BUS Step Down  
- Qg Optimized for 500-kHz Operation  
D Synchronous Buck, Shoot-Thru Resistant  
PowerPAKt SO-8  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
G
D
8
D
7
D
S
6
D
5
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
12  
DS  
GS  
V
V
"8  
T
= 25_C  
= 70_C  
22  
18  
13  
11  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
50  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
4.1  
5
1.6  
1.9  
1.2  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
3.2  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
20  
55  
25  
65  
a
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
2.0  
2.6  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71858  
S-21194—Rev. C, 29-Ju1-02  
www.vishay.com  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与SI7882DP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7882DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 12V 13A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Si7884BDP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7884BDP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 18.5 A, 40 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPA
SI7884DP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7884DP-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7884DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7884DP-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7886ADP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V D-S MOSFET
SI7886ADP-T1 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V D-S MOSFET
SI7886ADP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V D-S MOSFET

与SI7882DP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证