5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7344DP
SI7344DP PDF预览

SI7344DP

更新时间： 2024-11-27 22:21:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 46K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI7344DP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.91
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C5
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7344DP 数据手册

 浏览型号SI7344DP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI7344DP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI7344DP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI7344DP的Datasheet PDF文件第5页 
Si7344DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKt  
Package with Low 1.07-mm Profile  
D PWM Optimized  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
APPLICATIONS  
0.008 @ V = 10 V  
17  
14  
D DC/DC Conversion  
GS  
20  
- Desktop  
0.012 @ V = 4.5 V  
GS  
- Server  
D Synchronous Rectification  
PowerPAKt SO-8  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
G
D
8
D
7
D
6
D
5
S
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
Ordering Information: Si7344DP-T1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
17  
14  
11  
9
A
a
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
I
50  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
3.7  
4.1  
2.6  
1.6  
1.8  
1.1  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
22  
55  
30  
70  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
4.5  
5.5  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72128  
S-03602—Rev. A, 31-Mar-03  
www.vishay.com  
1
 
12345

中文翻译

下载PDF

与SI7344DP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7348DP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7348DP-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 9 A, 20 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Genera
SI7348DP-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7348DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7356ADP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7356ADP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 31 A, 30 V, 0.004 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS,
SI7356ADP-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 31 A, 30 V, 0.004 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI7356DP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7356DP-T1 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7356DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 18 A, 30 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, POWERPAK, SOP-8

与SI7344DP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证