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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7308DN-T1-E3
SI7308DN-T1-E3 PDF预览

SI7308DN-T1-E3

更新时间： 2024-11-28 09:25:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 541K
描述
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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SI7308DN-T1-E3 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：0.78Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：6.1 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：5.4 A
最大漏源导通电阻：0.058 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：19.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7308DN-T1-E3 数据手册

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Si7308DN  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
Available  
0.058 at VGS = 10 V  
0.072 at VGS = 4.5 V  
TrenchFET® Power MOSFET  
Low Thermal Resistance PowerPAK® Package  
with Small Size and Low 1.07 mm Profile  
6
6
•
•
60  
13 nC  
PowerPAK 1212-8  
APPLICATIONS  
•
•
CCFL Inverter  
Class-D Amp  
S
3.30 mm  
3.30 mm  
1
D
S
2
S
3
G
4
D
8
D
7
G
D
6
D
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7308DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
S
Si7308DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
60  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
6a  
6a  
5.4b, c  
4.3b, c  
20  
6a  
2.7b, c  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Width)  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
IAS  
Avalanche Current  
11  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
Single-Pulse Avalanche Energy  
6.1  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
19.8  
12.7  
3.2b, c  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.1b, c  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
31  
5
39  
°C/W  
RthJC  
Steady State  
6.3  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 81 °C/W.  
Document Number: 73419  
S-83051-Rev. B, 29-Dec-08  
www.vishay.com  
1
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SI7308DN-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7308DN-T1-GE3 VISHAY

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