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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7236DP-T1-E3
SI7236DP-T1-E3 PDF预览

SI7236DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-28 09:25:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 497K
描述
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI7236DP-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：20.7 A
最大漏源导通电阻：0.0052 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：46 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7236DP-T1-E3 数据手册

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Si7236DP  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
60  
• TrenchFET® Power MOSFET  
0.0052 at VGS = 4.5 V  
0.007 at VGS = 2.5 V  
20  
31 nC  
60  
APPLICATIONS  
•
Synchronous Rectification  
•
DC-DC Point-of-Load  
PowerPAK SO-8  
S1  
5.15 mm  
6.15 mm  
1
D
1
D
2
G1  
2
S2  
3
G2  
4
D1  
8
D1  
G
1
G
2
7
D2  
6
D2  
5
Bottom View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si7236DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7236DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
20  
Unit  
V
12  
60a  
TC = 25 °C  
C = 85 °C  
TA = 25 °C  
60a  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
20.7b, c  
16.6b, c  
80  
TA = 85 °C  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
T
C = 25 °C  
38  
Continuous Source-Drain Diode Current  
2.9b, c  
46  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
T
C = 85 °C  
29  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
3.5b, c  
2.2b, c  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
26  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
t ≤ 10 s  
Steady State  
35  
°C/W  
2.2  
2.7  
Notes:  
a. Package limited  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is  
not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.  
Document Number: 70359  
S09-0222-Rev. B, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7236DP-T1-GE3 VISHAY

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