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SI7230DN-T1-E3

更新时间： 2024-11-25 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	551K
描述
TRANSISTOR 9 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8, FET General Purpose Power

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SI7230DN-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
雪崩能效等级（Eas）：	9.8 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.012 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-XDSO-C5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI7230DN-T1-E3 数据手册

Si7230DN

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Available

0.012 at V_GS= 10 V

0.016 at V_GS= 4.5 V

•

TrenchFET^®Power MOSFET

PWM Optimized

100 % R_gTested

APPLICATIONS

DC/DC Converters

PowerPAK 1212-8

•

- Secondary Synchronous Rectifier

- High-Side MOSFET in Synchronous Buck

3.30 mm

Bottom View

Ordering Information: Si7230DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7230DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

7.5

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

Single Pulse Avalanche Current

Avalanche Energy

3.2

1.3

I_AS

E_AS

L = 0.1 mH

9.8

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

3.7

2.3

1.5

1.0

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

Steady State

°C/W

R_thJC

Maximum Junction-to-Case (Drain)

2.0

2.4

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 74396

S-83052-Rev. B, 29-Dec-08

www.vishay.com

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