5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7228DN-T1-GE3
SI7228DN-T1-GE3 PDF预览

SI7228DN-T1-GE3

更新时间： 2024-11-25 09:25:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
13页 556K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI7228DN-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-C6针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：8.41Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：1758608
Samacsys Pin Count：8Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：PowerPAK? 1212-8 Single_2-3
Samacsys Released Date：2019-10-08 12:13:13Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：9.8 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：26 A最大漏极电流 (ID)：8.8 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-XDSO-C6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：23 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：35 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7228DN-T1-GE3 数据手册

 浏览型号SI7228DN-T1-GE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI7228DN-T1-GE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI7228DN-T1-GE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI7228DN-T1-GE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI7228DN-T1-GE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI7228DN-T1-GE3的Datasheet PDF文件第7页 
Si7228DN  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)f  
26  
Definition  
0.020 at VGS = 10 V  
0.025 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 UIS Tested  
30  
4.1 nC  
23  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
PowerPAK® 1212-8  
•
•
•
•
Synchronous Rectification  
Notebook System Power  
POL  
S1  
3.30 mm  
3.30 mm  
D
1
D
2
1
G1  
Low Current DC/DC  
2
S2  
3
G2  
4
D1  
8
D1  
G
1
G
2
7
D2  
6
D2  
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7228DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
S
2
1
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
V
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
26  
21  
8.8a, b  
7a, b  
35  
19  
2.2a, b  
14  
9.8  
23  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
T
C = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
IAS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
mJ  
W
T
C = 70 °C  
14.8  
2.6a, b  
1.7a, b  
Maximum Power Dissipation  
PD  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c, d  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJC  
Typical  
38  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambienta, e  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
t ≤ 10 s  
Steady State  
48  
°C/W  
4.3  
5.4  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
d. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
e. Maximum under steady state conditions is 94 °C/W.  
f. Based on TC = 25 °C.  
Document Number: 64806  
S09-0666-Rev. A, 20-Apr-09  
www.vishay.com  
1
1234567...13

中文翻译

下载PDF

SI7228DN-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7270DP-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

与SI7228DN-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI-7230 SANKEN

获取价格

 		Bipolar Driver IC
SI7230DN-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 9 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1
SI7230DN-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI7230E SANKEN

获取价格

 		STEPPING MOTOR DRIVER
SI-7230E SANKEN

获取价格

 		STEPPING MOTOR DRIVER
SI7230M ETC

获取价格

 		Industrial Control IC
SI-7230M SANKEN

获取价格

 		Bipolar Driver IC
SI7232DN VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7232DN-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7234DP VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

与SI7228DN-T1-GE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证