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SI7112DN-T1

更新时间： 2024-09-17 19:29:55

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	98K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI7112DN-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.88
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11.3 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.8 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI7112DN-T1 数据手册

Si7112DN

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

TrenchFET^®Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)

17.8

17.0

Available

•

New Low Thermal Resistance PowerPAK^®

Package with Low 1.07 mm Profile

0.0075 at V_GS= 10 V

0.0082 at V_GS= 4.5 V

RoHS*

COMPLIANT

•

100 % R_gTested

Lead (Pb)-free Version is RoHS Compliant

APPLICATIONS

PowerPAK 1212-8

•

Synchronous Rectification

3.30 mm

Bottom View

Ordering Information: Si7112DN-T1

Si7112DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 sec

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

17.8

14.2

11.3

9.1

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

Single Avalanche Current

3.2

1.3

I_AS

E_AS

L = 0.1 mH

Single Avalanche Energy

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

3.8

2.0

1.5

Maximum Power Dissipation^a

P_D

0.8

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

°C/W

R_thJC

Maximum Junction-to-Case (Drain)

1.9

2.4

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.

b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is

not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.

Document Number: 72864

S-60926-Rev. F, 29-May-06

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI7112DN-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Si7113ADN	VISHAY	获取价格	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
SI7113DN	VISHAY	获取价格	P-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI7113DN-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 100-V (D-S) MOSFET
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Si7114	RICHTEK	获取价格	6A, 24V, 600kHz Step-Down Converter with Synchronous Gate Driver
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SI7114ADN-T1-GE3	VISHAY	获取价格	MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Si7114DN	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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