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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI6925DQ-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI6925DQ-T1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI6925DQ-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI6926ADQ | VISHAY |
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Dual N-Channel 2.5-V G-S MOSFET |
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| SI6926ADQ_05 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI6926ADQ_08 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI6926ADQ-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5-V G-S MOSFET |
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| SI6926AEDQ-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI6926DQ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| SI6926DQ | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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