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Datasheet > SI6911DQT-1-E3
SI6911DQT-1-E3 PDF预览

SI6911DQT-1-E3

更新时间： 2024-11-25 19:46:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 50K
描述
TRANSISTOR 4300 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI6911DQT-1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：12 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.3 A
最大漏极电流 (ID)：4.3 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.14 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI6911DQT-1-E3 数据手册

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Si6911DQ  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFETS  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D Load Switch  
0.026 @ V = -4.5 V  
GS  
-5.1  
-4.5  
-3.9  
D Battery Switch  
0.035 @ V = -2.5 V  
GS  
-12  
0.046 @ V = -1.8 V  
GS  
S
S
1
2
TSSOP-8  
G
1
G
2
D
1
D
1
8
2
2
2
D
S
S
S
S
1
1
1
2
3
4
7
6
5
G
G
2
Top View  
Ordering Information: Si6911DQ T-1  
D
1
D
2
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
-12  
DS  
GS  
V
V
"8  
T
= 25_C  
= 70_C  
-5.1  
-4.1  
-4.3  
-3.5  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
I
-30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
-1.0  
1.14  
0.73  
-0.7  
0.83  
0.53  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
86  
124  
59  
110  
150  
75  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72231  
S-31064—Rev. A, 26-May-03  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6913DQ VISHAY

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 		Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6913DQ_04 VISHAY

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 		Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6913DQ-T1 VISHAY

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 		Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6913DQ-T1-E3 VISHAY

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