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SI6882EDQ-E3

更新时间： 2024-11-28 19:54:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 73K
描述
TRANSISTOR 6000 mA, 24 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI6882EDQ-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.4配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：24 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.019 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI6882EDQ-E3 数据手册

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Si6882EDQ  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 1.8-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection  
PRODUCT SUMMARY  
FEATURES  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D ESD Protected: 4000 V  
D Common Drain  
0.019 @ V = 4.5 V  
7.5  
6.9  
6.5  
6.0  
GS  
0.021 @ V = 3.7 V  
GS  
24  
APPLICATIONS  
0.023 @ V = 2.5 V  
GS  
D 1-2 Cell Battery Protection Circuitry  
0.027 @ V = 1.8 V  
GS  
D
D
TSSOP-8  
*1.5 kW  
*1.5 kW  
D
D
S
1
2
3
4
8
7
6
5
D
G
G
2
S
1
1
2
Si6882EDQ  
S
1
S
2
G
1
G
2
Top View  
S
1
S
2
N-Channel  
N-Channel  
*Typical value by design  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
T24  
"12  
DS  
V
V
GS  
T
= 25_C  
= 70_C  
7.5  
6
6
5
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
I
30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.6  
1.08  
1.19  
0.76  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
1.78  
1.14  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec.  
Steady State  
Steady State  
55  
85  
35  
70  
105  
45  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. t v 10 sec.  
Document Number: 71984  
S-21574—Rev. A, 09-Sep-02  
www.vishay.com  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6882EDQ-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI68M100 NTE

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