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SI6880EDQ-E3

更新时间： 2024-11-25 20:09:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 51K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8

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SI6880EDQ-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：ESD PROTECTION配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI6880EDQ-E3 数据手册

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Si6880EDQ  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 1.8-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection  
PRODUCT SUMMARY  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D ESD Protected: 4000 V  
D Common Drain  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
0.018 @ V = 4.5 V  
GS  
7.5  
6.5  
6.0  
0.022 @ V = 2.5 V  
GS  
20  
APPLICATIONS  
0.026 @ V = 1.8 V  
GS  
D 1-2 Cell Battery Protection Circuitry  
D
D
TSSOP-8  
*1.5 kW  
*1.5 kW  
D
D
S
1
2
3
4
8
7
6
5
D
G
G
2
S
1
1
2
Si6880EDQ  
S
1
S
2
G
1
G
2
Top View  
S
1
S
2
N-Channel  
N-Channel  
*Typical value by design  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
T20  
"12  
DS  
V
V
GS  
T
= 25_C  
= 70_C  
7.5  
6
6
5
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
I
30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.6  
1.08  
1.19  
0.76  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
1.78  
1.14  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec.  
Steady State  
Steady State  
55  
85  
35  
70  
105  
45  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. t v 10 sec.  
Document Number: 71690  
S-05238—Rev. B, 17-Dec-01  
www.vishay.com  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6880EDQ-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI6882EDQ-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 6000 mA, 24 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET Gen
SI6882EDQ-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI68M100 NTE

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