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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI6880EDQ | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 1.8-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection |
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| SI6880EDQ-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SI6880EDQ-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SI6882EDQ-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 6000 mA, 24 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET Gen |
|
| SI6882EDQ-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI68M100 | NTE |
获取价格 |
SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
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| SI68M16 | NTE |
获取价格 |
SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
|
| SI68M160 | NTE |
获取价格 |
SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
|
| SI68M200 | NTE |
获取价格 |
SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
|
| SI68M25 | NTE |
获取价格 |
SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
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