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SI6880AEDQ

更新时间： 2024-11-24 22:33:55
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威世 - VISHAY /
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1页 33K
描述
Specification Comparison

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SI6880AEDQ 数据手册

  
Specification Comparison  
Vishay Siliconix  
Si6880AEDQ vs. Si6880EDQ  
Description: N-Channel, 1.8-V (G-S) Battery Switch with ESD Protection  
Package:  
Pin Out:  
TSSOP-8  
Identical  
Part Number Replacements:  
Si6880AEDQ-T1 Replaces Si6880EDQ-T1  
Si6880AEDQ-T1—E3 (Lead Free version) Replaces Si6880EDQ-T1  
Summary of Performance:  
The Si6880AEDQ is the replacement for the original Si6880EDQ; both parts perform identically including limits to the  
parametric tables below.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 _C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Si6880AEDQ  
Si6880EDQ  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
"12  
7.2  
20  
"12  
7.5  
DS  
GS  
V
V
T = 25_C  
A
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
D
T = 70_C  
A
5.7  
6
A
I
30  
30  
DM  
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)  
I
S
1.5  
1.6  
T = 25_C  
1.5  
1.78  
1.14  
−55 to 150  
70  
A
Power Dissipation  
P
W
D
T = 70_C  
A
0.96  
−55 to 150  
84  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Maximum Junction-to-Ambient  
T and T  
_C  
j
stg  
R
thJA  
_C/W  
SPECIFICATIONS (T = 25 _C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
J
Si6880AEDQ  
Si6880EDQ  
Typ  
Min  
Typ  
Max  
Min  
Max  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Static  
Gate-Threshold Voltage  
V
0.8  
0.9  
"1000  
"10  
1
0.45  
V
nA  
mA  
mA  
A
G(th)  
V
= 4.5 V  
= 12 V  
"250  
"10  
1
GS  
Gate-Body Leakage  
I
GSS  
V
GS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
On-State Drain Current  
I
DSS  
V
V
V
V
= 4.5 V  
= 4.5 V  
= 2.5 V  
= 1.8 V  
I
20  
20  
GS  
GS  
GS  
GS  
D(on)  
0.014  
0.016  
0.018  
45  
0.018  
0.022  
0.025  
0.015  
0.017  
0.020  
39  
0.018  
0.022  
0.016  
Drain-Source On-Resistance  
r
W
Ds(on)  
Forward Transconductance  
Diode Forward Voltage  
g
fs  
S
V
V
0.61  
1.1  
35  
0.65  
1.1  
40  
SD  
Dynamic  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Qg  
22  
2.0  
3.6  
27  
3.0  
5.5  
Qgs  
Qgd  
nC  
Switching  
t
1.0  
1.6  
6
1.5  
2.5  
10  
1.5  
800  
6
2.3  
1200  
10  
d(on)  
Turn-On Time  
t
r
ms  
t
d(off)  
Turn-Off Time  
t
f
5.5  
10  
5.5  
10  
www.vishay.com  
Document Number: 72902  
22-Mar-04  
1
1

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与SI6880AEDQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6880AEDQ_06 VISHAY

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 		N-Channel 1.8-V (G-S) Battery Switch with ESD Protection
SI6880AEDQ-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI6880AEDQ-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 5800 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT,
SI6880EDQ VISHAY

获取价格

 		N-Channel 1.8-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection
SI6880EDQ-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI6880EDQ-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI6882EDQ-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 6000 mA, 24 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET Gen
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SI68M100 NTE

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 		SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC

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