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SI6876EDQ-T1

更新时间： 2024-11-25 21:02:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 65K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8

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SI6876EDQ-T1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTORFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI6876EDQ-T1 数据手册

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Si6876EDQ  
Vishay Siliconix  
New Product  
Bi-Directional N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D Ultra-Low rSS(on)  
VS1S2 (V)  
rS1S2(on) (Ω)  
IS1S2 (A)  
D 4-kV ESD Protection  
APPLICATIONS  
0.025 @ V = 10 V  
GS  
6.2  
5.7  
4.5  
0.030 @ V = 4.5 V  
GS  
30  
0.050 @ V = 2.5 V  
GS  
D Battery Protection Circuitry  
- 1-2 Cell Li+/LiP  
S
1
G
1
TSSOP-8  
R
R
S
1
S
1
S
1
G
1
S
S
S
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
2
2
Si6876EDQ  
G
G
2
2
Top View  
S
2
N-Channel  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Source1—Source2 Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
T30  
"12  
S1S2  
V
V
GS  
T
= 25_C  
= 70_C  
6.2  
5.0  
5.0  
4.0  
A
Continuous Source1—Source2 Current  
I
S1S2  
a
(T = 150_C)  
J
T
A
A
Pulsed Source1-Source2 Current  
I
30  
SM  
T
= 25_C  
= 70_C  
1.78  
1.14  
1.19  
0.76  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec.  
Steady State  
Steady State  
55  
85  
35  
70  
105  
45  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
a
Maximum Junction-to-Foot (Source)  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. t v 10 sec.  
Document Number: 71822  
S-20802—Rev. B, 01-Jul-02  
www.vishay.com  
1
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与SI6876EDQ-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6880AEDQ VISHAY

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 		Specification Comparison
SI6880AEDQ_06 VISHAY

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 		N-Channel 1.8-V (G-S) Battery Switch with ESD Protection
SI6880AEDQ-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI6880AEDQ-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 5800 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT,
SI6880EDQ VISHAY

获取价格

 		N-Channel 1.8-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection
SI6880EDQ-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI6880EDQ-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI6882EDQ-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 6000 mA, 24 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET Gen
SI6882EDQ-T1 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI68M100 NTE

获取价格

 		SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC

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