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SI6875DQ-T1-GE3

更新时间： 2024-11-25 21:11:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 93K
描述
TRANSISTOR 5200 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI6875DQ-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：5.2 A
最大漏源导通电阻：0.027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI6875DQ-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si6875DQ  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain  
FEATURES  
•
PRODUCT SUMMARY  
TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 6.4  
- 5.5  
- 4.6  
Pb-free  
0.027 at VGS = - 4.5 V  
0.036 at VGS = - 2.5 V  
0.052 at VGS = - 1.8 V  
Available  
- 20  
RoHS*  
COMPLIANT  
S
1
S
2
TSSOP-8  
D
S
S
D
1
2
3
4
8
G
1
G
2
1
1
1
1
2
2
2
S
S
7
Si6875DQ  
6
5
G
G
2
Top View  
D
1
D
2
Ordering Information: Si6875DQ-T1  
Si6875DQ-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 20  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 6.4  
- 5.1  
- 5.2  
- 4.1  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
- 30  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
- 1.6  
1.78  
1.14  
- 1.08  
1.19  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
0.76  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
55  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
70  
105  
45  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
85  
°C/W  
RthJF  
35  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 71230  
S-71711-Rev. B, 13-Aug-07  
www.vishay.com  
1
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与SI6875DQ-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6876BEDQ-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, TSSOP-8, FET General
SI6876EDQ VISHAY

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 		Bi-Directional N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6876EDQ-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu
SI6876EDQ-T1 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu
SI6880AEDQ VISHAY

获取价格

 		Specification Comparison
SI6880AEDQ_06 VISHAY

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 		N-Channel 1.8-V (G-S) Battery Switch with ESD Protection
SI6880AEDQ-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI6880AEDQ-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 5800 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT,
SI6880EDQ VISHAY

获取价格

 		N-Channel 1.8-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection
SI6880EDQ-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o

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