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SI6874EDQ-T1-GE3 PDF预览

SI6874EDQ-T1-GE3

更新时间： 2024-11-25 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 90K
描述
TRANSISTOR 5300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI6874EDQ-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：5.3 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI6874EDQ-T1-GE3 数据手册

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Si6874EDQ  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D 3000-V ESD Protection  
D Lead (Pb)-Free Version is RoHS  
Compliant  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
Available  
0.026 @ V = 4.5 V  
GS  
6.5  
5.8  
5.0  
0.031 @ V = 2.5 V  
GS  
20  
0.039 @ V = 1.8 V  
GS  
D
D
TSSOP-8  
S
D
D
D
D
1
8
1
1
2
2
D
2.4 kW  
2.4 kW  
G
S
2
3
4
7
6
5
Si6874EDQ  
G
G
2
1
G
Top View  
S
1
S
2
N-Channel  
N-Channel  
Ordering Information: Si6874EDQ-T1  
Si6874EDQ-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
DS  
GS  
V
V
"12  
T
= 25_C  
= 85_C  
6.5  
4.7  
5.3  
4.2  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.50  
1.67  
1.06  
1.10  
1.20  
0.76  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
60  
86  
38  
75  
105  
45  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
thJF  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71252  
S-50695—Rev. B, 18-Apr-05  
www.vishay.com  
1
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与SI6874EDQ-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI6875DQ VISHAY

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 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain
SI6875DQ-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5200 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET Gen
SI6875DQ-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5200 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT,
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 		Specification Comparison
SI6880AEDQ_06 VISHAY

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 		N-Channel 1.8-V (G-S) Battery Switch with ESD Protection
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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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