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SI4501ADY-T1

更新时间： 2024-02-14 13:00:33

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威世 - VISHAY		/
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9页	118K
描述
Transistor,

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SI4501ADY-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.88
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SI4501ADY-T1 数据手册

Si4501ADY

Vishay Siliconix

Complementary (N- and P-Channel) MOSFET

FEATURES

TrenchFET^®Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

•

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

I_D(A)

8.8

Pb-free

0.018 at V_GS= 10 V

0.027 at V_GS= 4.5 V

0.042 at V_GS= - 4.5 V

0.060 at V_GS= - 2.5 V

Available

APPLICATIONS

N-Channel

P-Channel

- 8

7.0

RoHS*

•

Level Shift

COMPLIANT

- 5.7

- 4.8

•

Load Switch

SO-8

Top View

Ordering Information:

Si4501ADY-T1

Si4501ADY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

N-Channel

P-Channel

Steady State

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

10 s

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

- 8

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

8.8

6.3

5.2

- 5.7

- 4.5

- 4.1

- 3.3

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^{a, b}

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

- 30

Continuous Source Current (Diode Conduction)^{a, b}

T_A= 25 °C

_A= 70 °C

1.8

2.5

1.6

1.0

1.3

0.84

- 1.8

2.5

1.0

1.3

Maximum Power Dissipation^{a, b}

P_D

1.6

0.84

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

N-Channel

P-Channel

Parameter

Symbol

Typ

Max

Typ

Max

Unit

t ≤ 10 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

Steady State

°C/W

R_thJF

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes:

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t ≤ 10 s.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.

Document Number: 71922

S-72215-Rev. C, 22-Oct-07

www.vishay.com

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SI4501ADY-T1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI4501ADY-T1-GE3	VISHAY	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Me

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