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SI4501ADY-E3 PDF预览

SI4501ADY-E3

更新时间： 2024-11-24 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 89K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI4501ADY-E3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
Is Samacsys：N配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：6.3 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4501ADY-E3 数据手册

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Si4501ADY  
Vishay Siliconix  
New Product  
Complementary (N- and P-Channel) MOSFET Half-Bridge  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.018 @ V = 10 V  
GS  
8.8  
7.0  
N-Channel  
P-Channel  
30  
0.027 @ V = 4.5 V  
GS  
D Level Shift  
D Load Switch  
0.042 @ V  
0.060 @ V  
= -4.5 V  
= -2.5 V  
- 5.7  
-4.8  
GS  
GS  
-8  
S
2
SO-8  
G
2
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
G
1
D /D  
1
2
S
2
G
2
G
1
Top View  
S
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
N-Channel  
P-Channel  
10 sec. Steady State 10 sec. Steady State  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
-8  
DS  
V
V
GS  
"20  
"8  
T
= 25_C  
= 70_C  
8.8  
7
6.3  
5.2  
- 5.7  
-4.5  
-4.1  
-3.3  
A
a,  
b
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
30  
-30  
DM  
a,  
b
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.8  
2.5  
1.6  
1.0  
1.3  
-1.8  
2.5  
1.6  
1.0  
1.3  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a,  
b
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
0.84  
0.84  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
N-Channel  
P- Channel  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Parameter  
Symbol  
Unit  
t v 10 sec  
40  
75  
18  
50  
95  
23  
42  
76  
21  
50  
95  
26  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJF  
Steady-State  
Steady-State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
R
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. t v 10 sec  
Document Number: 71922  
S-21166—Rev. A, 29-Jul-02  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4501ADY-T1 VISHAY

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 		Transistor,
SI4501ADY-T1-E3 VISHAY

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