SI4473DY

更新时间： 2024-11-19 21:53:19

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4页	58K
描述
P-Channel 14-V (D-S) MOSFET

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SI4473DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI4473DY 数据手册

Si4473DY

Vishay Siliconix

P-Channel 14-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

APPLICATION

0.011 @ V = −4.5 V

−13

−11

−14

D Battery Switch for Portable Equipment

0.016 @ V = −2.5

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4473DY

Si4473DY-T1 (with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

Si4473DY—E3 (Lead (Pb)-Free)

Si4473DY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free with Tape and Reel)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−14

"12

= 25_C

= 70_C

−9

−7

−13

−10

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−50

continuous Source Current (Diode Conduction)

−2.7

3.0

−1.36

1.5

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.9

0.95

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71613

S-50154—Rev. C, 31-Jan-05

www.vishay.com

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