SI4473BDY-E3

更新时间： 2024-11-19 22:09:51

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威世 - VISHAY		/
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5页	70K
描述
P-Channel 14-V (D-S) MOSFET

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SI4473BDY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.8 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI4473BDY-E3 数据手册

Si4473BDY

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 14-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 100% R_gTested

0.011 @ V = −4.5 V

−13

−10

−14

APPLICATION

0.018 @ V = −2.5

D Battery Switch for Portable Devices

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4473BDY—E3 (lLead Free)

Si4473BDY-T1—E3 (Lead Free with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−14

"12

= 25_C

= 70_C

−9.8

−7.8

−13

Continuous Drain Current (T = 150_C)

−9.9

Pulsed Drain Current

−50

continuous Source Current (Diode Conduction)

−2.3

2.5

−1.34

1.5

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.6

0.94

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72691

S-32676—Rev. A, 29-Dec-03

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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