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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4472DY-T1-E3
SI4472DY-T1-E3 PDF预览

SI4472DY-T1-E3

更新时间： 2024-11-24 12:27:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
10页 253K
描述
N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

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SI4472DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：634816Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：SOT23 (8-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOIC (NARROW): 8-LEADSamacsys Released Date：2017-02-09 17:29:05
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：7.7 A
最大漏源导通电阻：0.047 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4472DY-T1-E3 数据手册

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Si4472DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 150 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)a  
7.7  
Qg (Typ.)  
0.045 at VGS = 10 V  
0.047 at VGS = 8 V  
•
•
•
•
Extremely Low Qgd for Switching Losses  
100 % Rg Tested  
100 % Avalanche Tested  
150  
23 nC  
7.5  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
Primary Side Switch  
SO-8  
D
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4472DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4472DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
150  
20  
V
VGS  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
7.7  
T
6.1  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
5.5b, c  
4.5b, c  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
50  
4.5  
2.6b, c  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
20  
20  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
TC = 25 °C  
5.9  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
3.8  
Maximum Power Dissipation  
PD  
T
3.1b, c  
2b, c  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
33  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
t ≤ 10 s  
Steady State  
40  
21  
°C/W  
17  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1” x 1” FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 80 °C/W.  
Document Number: 74283  
S11-0209-Rev. C, 14-Feb-11  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4473BDY VISHAY

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 		P-Channel 14-V (D-S) MOSFET
SI4473BDY-E3 VISHAY

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