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SI4463DY_NL

更新时间： 2024-11-20 21:11:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 45K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI4463DY_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.25
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.5 A最大漏极电流 (ID)：11.5 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4463DY_NL 数据手册

 浏览型号SI4463DY_NL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4463DY_NL的Datasheet PDF文件第3页 
January 2001  
Si4463DY  
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged  
gate PowerTrench process. It has been optimized for  
power management applications with a wide range of  
gate drive voltage (2.5V – 12V).  
• –11.5 A, –20 V. RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 17.5 mΩ @ VGS = –2.5 V  
• Fast switching speed.  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
• Power management  
• Load switch  
low RDS(ON)  
• High power and current handling capability  
• Battery protection  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
–20  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 12  
–11.5  
–50  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2.5  
PD  
W
1.2  
1.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
4463  
Si4463DY  
13’’  
12mm  
2500 units  
Si4463DY Rev A(W)  
2001 Fairchild Semiconductor International  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4463DY-E3 VISHAY

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 		Transistor
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