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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4116DY-T1-GE3
SI4116DY-T1-GE3 PDF预览

SI4116DY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-26 09:26:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 274K
描述
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

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SI4116DY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：0.76
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：12.7 A
最大漏源导通电阻：0.0086 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4116DY-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si4116DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
18  
Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
0.0086 at VGS = 10 V  
0.0095 at VGS = 4.5 V  
0.0115 at VGS = 2.5 V  
•
•
25  
17  
17.5 nC  
15.5  
APPLICATIONS  
•
Synchronous Buck  
- Low Side  
SO-8  
D
S
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
S
S
G
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4116DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4116DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
25  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
12  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
18  
14.3  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
12.7b, c  
10.1b, c  
50  
T
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
4.5  
2.2b, c  
20  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
A = 25 °C  
L = 0.1 mH  
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
TA = 70 °C  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
EAS  
mJ  
W
20  
T
5
3.2  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.5b, c  
1.6b, c  
T
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
43  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
t ≤ 10 s  
Steady State  
50  
25  
°C/W  
19  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 95 °C/W.  
Document Number: 69837  
S-83046-Rev. C, 22-Dec-08  
www.vishay.com  
1
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SI4116DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4466DY-T1-E3 VISHAY

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