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SI3911DV-E3

更新时间： 2024-11-21 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 71K
描述
TRANSISTOR 1800 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose Small Signal

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SI3911DV-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.25配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.8 A
最大漏极电流 (ID)：1.8 A最大漏源导通电阻：0.145 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.83 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI3911DV-E3 数据手册

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Si3911DV  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.145 @ V = –4.5 V  
–2.2  
–1.8  
–1.5  
GS  
–20  
0.200 @ V = –2.5  
V
V
GS  
0.300 @ V = –1.8  
GS  
S
S
2
1
TSOP-6  
Top View  
G1  
S2  
G2  
D1  
S1  
D2  
1
2
3
6
5
G
1
G
2
3 mm  
4
D
1
D
2
2.85 mm  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
–20  
DS  
GS  
V
V
"8  
T
= 25_C  
= 70_C  
–1.8  
–1.5  
–2.2  
–1.8  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
"8  
a
Continuous Diode Current (Diode Conduction)  
I
–1.05  
1.15  
0.73  
–0.75  
0.83  
0.53  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
93  
130  
90  
110  
150  
90  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71380  
S-20275—Rev. B, 18-Mar-02  
www.vishay.com  
1
12345

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与SI3911DV-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3911DV-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 1800 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND
SI3911DV-T2-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 1800 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET Gene
SI3911DV-T3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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