SI3911DV

更新时间： 2024-11-08 22:33:51

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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4页	48K
描述
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI3911DV 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.8 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.83 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI3911DV 数据手册

Si3911DV

Vishay Siliconix

New Product

Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.145 @ V = –4.5 V

–2.2

–1.8

–1.5

–20

0.200 @ V = –2.5

0.300 @ V = –1.8

TSOP-6

Top View

3 mm

2.85 mm

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–20

= 25_C

= 70_C

–1.8

–1.5

–2.2

–1.8

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Diode Current (Diode Conduction)

–1.05

1.15

0.73

–0.75

0.83

0.53

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

130

110

150

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71380

S-20275—Rev. B, 18-Mar-02

www.vishay.com

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