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SI3134KU6

更新时间： 2024-11-06 17:01:27

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
6页	1014K
描述
Tape: 5K/Reel;

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SI3134KU6 数据手册

SI3134KU6

Features

• Trench LV MOSFET Technology

• ESD Protected Up To 2KV(HBM)

• Moisture Sensitivity Level 1

• Halogen Free. “Green” Device ^{(Note 1)}

N-Channel MOSFET

• Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

• Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS

Compliant. See Ordering Information)

Maximum Ratings

• Operating Junction Temperature Range: -55°C to +150°C

• Storage Temperature Range: -55°C to +150°C

DFN1010B-6

• Maximum Thermal Resistance: 300°C/W Junction to Ambient^{(Note 2)}

Parameter

Drain-Source Voltage

Rating

Unit

Symbol

V_DS

Gate-Source Voltage

V_GS

±10

T_A=25°C

0.75

I_D

Drain Current-Continuous

T_A=100°C

0.47

Pulsed Drain Current^{(Note 3)}

Power Dissipation^{(Note 4)}

1RWHꢀ

I_DM

P_D

0.42

1.+DORJHQꢁIUHHꢁꢂ*UHHQ´ꢁSURGXFWVꢁDUHꢁGHILQHGꢁDVꢁWKRVHꢁZKLFKꢁFRQWDLQꢁꢃꢄꢅꢅSSPꢁEURPLQHꢆꢃ

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DIMENSIONS

INCHES MM

MIN MAX

DIM

NOTE

MIN

MAX

0.40

0.05

0.012 0.016 0.31

0.000 0.002 0.00

0.005

0.127

TYP.

0.004 0.008 0.10

0.037 0.041 0.95

0.20

1.05

Internal Structure and Marking Code

0.014

0.350

TYP.

(6,7)

(3,8)

0.011 0.015 0.27

0.010 0.014 0.25

0.37

0.35

0.530

1,4. Source

2,5.Gate

3,6,7,8. Drain

0.021

0.004 0.008 0.10

0.20

0.008

0.20

G,(2)

G,(5)

S,(1)

S,(4)

PIN1

Rev.4-1-10192023

1/6

MCCSEMI.COM

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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