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SI2351DS-T1-GE3

更新时间： 2024-11-07 21:05:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 119K
描述
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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SI2351DS-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A最大漏极电流 (ID)：2.2 A
最大漏源导通电阻：0.115 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI2351DS-T1-GE3 数据手册

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Si2351DS  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
MOSFET PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
Halogen-free Option Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
PWM Optimized  
D (A)a  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
0.115 at VGS = - 4.5 V  
0.205 at VGS = - 2.5 V  
- 3.0  
RoHS  
- 20  
3.2 nC  
COMPLIANT  
100 % Rg Tested  
- 2.2  
TO-236  
(SOT-23)  
G
S
1
2
3
D
Top View  
Si2351DS (G1)*  
* Marking Code  
Ordering Information: Si2351DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si2351DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
VDS  
VGS  
- 20  
12  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 2.8  
- 2.4  
- 2.2b, c  
- 1.8b, c  
- 10  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
- 2.0  
- 0.91b, c  
2.1  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.5  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
1.0b, c  
0.7b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Typical  
90  
Maximum  
Symbol  
RthJA  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
≤ 5 s  
Steady State  
115  
75  
°C/W  
RthJF  
60  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 130 °C/W.  
Document Number: 73702  
S-80642-Rev. C, 24-Mar-08  
www.vishay.com  
1
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SI2351DS-T1-GE3 替代型号

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