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SI2309

更新时间： 2024-11-18 18:09:43

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SOT-23

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SI2309 数据手册

SI 2309DS

LOW VOLTAGE MOSFET (P-CHANNEL)

FEATURES

 V_DS=-60V,R_DS(ON)≤345mΩ@V_GS=-10V,I_D=-1.6A

 Low on-resistance

 For DC to DC converter and Load switch applications

 Surface Mount device

SOT-23

MECHANICAL DATA



Case: SOT-23

Case Material: Molded Plastic. UL flammability

Classification Rating: 94V-0

Weight: 0.008 grams (approximate)

Marking:X7XB

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Drain-source voltage

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

-60

Unit

Gate-source voltage

Continuous drain current

±20

-1.6

Pulsed Drain Current(10μs Pulse Width)

Power dissipation

I_DM

-8

1.7

Thermal resistance from Junction to ambient

Junction temperature

R_θJA

120

150

-55 ~+150

°C/W

°C

Storage temperature

TSTG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol Min Typ Max Unit

Conditions

V =0V, I =-250μA

V^GS=0V

V^GS=±20V

VDS=VGS, ID=-250μA

V(BR)DSS

-60

Drain-Source breakdown voltage

Zero gate voltage drain current

Gate-body leakage current

Gate-threshold voltage (note 1)

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)-1

-1

uA V_DS=-60V,

±100 nA V_DS=0V,

-3

345

450

mΩ

285

360

2.8

V =-10V, I =-1.25A

VGS=-4.5V, ID=-1.0A

VDS=-10V, ID=-1.0A

f=1MHz

Drain-source on-resistance (note 1)

R_DS(ON)

Forward transconductance (note 1)

Gate resistance

g_FS

R_g

C_iss

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Q_g

Q_gs

Q_gd

V_SD

I_S

210

2.7

0.8

1.2

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Turn-on rise time

Turn-off delay time

Turn-off fall time

Turn-on delay time

Turn-on rise time

Turn-off delay time

Turn-off fall time

Total gate charge

Gate-source charge

V_{DS=-30V, VGS=0V, f=1MHz}

4.1

VDD=-30V,ID=-1A,

VGEN=-4.5V,Rg=1Ω,RL=30Ω

VDD=-30V,ID=-1A,

VGEN=-10V,Rg=1Ω,RL=30Ω

VDD=-30V,VGS=-4.5V,ID=-1.25A

Gate-drain charge

Diode forward voltage (note 1)

Diode forward current

Pulse diode forward current

Body diode reverse recovery time

Body diode reverse recovery charge

-0.8 -1.2

IS=-1.5A, VGS=0V

T_C= 25°C

-1.4

-8

I_SM

t_rr

Q_rr

IF=-1.25A,dI/dt=100A/μs,

T_J=25°C

Note:1. Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 2% .

1 / 6

E-mail:hkt@heketai.com

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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